На летней выставке Computex 2007, которая пройдёт в тайваньской столице с 5 по 9 июня, именитый игрок рынка памяти американская компания Kingston Technology представит новейшие модули DDR3-1500. Они должны войти в высокопроизводительную линейку HyperX. Кроме того, посетителям мероприятия представится возможность лицезреть анонсированные в середине этого месяца скоростные модули DDR2-800 HyperX с ультранизкими задержками CL3-3-3-10. Как сообщает источник, компания Kingston не так давно сертифицировала модули DDR3-1066 объёмом 512 Мб и 1 Гб, которые успешно прошли аттестацию Intel PMO (Platform Memory Operation). Уже выпущены первые их пилотные партии и идёт подготовка к массовому производству. Позже в текущем году новая оперативная память DDR3-1066 появится в сериях Kingston HyperX и ValueRAM в виде 512-Мб и 1-Гб модулей и 1-Гб и 2-Гб наборов. Напомним, что новые модули типа DDR3, предназначенные для производительных платформ следующего поколения и нашедшие поддержку в чипсетах Intel P35 (Bearlake), обещают значительный прирост скорости подсистемы памяти и улучшение энергоэффективности. Ожидается двукратное увеличение пропускной способности, по сравнению с лучшими образцами модулей типа DDR2. При этом, уменьшение напряжения питания с 1,8 В (значение для DDR2-чипов) до 1,5 В и сниженный уровень энергопотребления делает новую продукцию более привлекательной для мобильных решений.
|